1К2П

Высокочастотный пентод

 

S	Ri	Cвх	Cвых	Cпр
0.7	1500	3	4.9	0.01

Высокочастотный пентод с удлиненной характеристикой.
Предназначен для усиления напряжения высокой частоты.
Масса не более 10 г.

Основные технические характеристики 1К2П:
Напряжение накала номинальное (постоянное) …… 1,2 В
Напряжение накала наибольшее (постоянное) …… 1,4 В
Напряжение накала наименьшее (постоянное) …… 0,9 В
Ток накала …… 30 ± 3 мА
Напряжение анода номинальное (постоянное) …… 60 В
Напряжение анода предельное (постоянное) …… 90 В
Ток анода …… 1,35 ± 0,5 мА
Ток катода предельный …… 3,5 мА
Напряжение сетки первой номинальное (постоянное) …… 0 В
Напряжение сетки второй номинальное (постоянное) …… 45 В
Напряжение сетки второй предельное (постоянное) …… 75 В
Ток сетки второй …… не более 0,5 мА
Напряжение источника питания анода и сетки второй …… 250 В
Мощность, рассеиваемая анодом, предельная …… 0,3 Вт
Крутизна характеристики …… не менее 0,45 мА/В
Внутреннее сопротивление …… 1,5 МОм
Входное сопротивление:
— на частоте 30 МГц …… 60 кОм
— на частоте 60 МГц …… 20 кОм
— на частоте 100 МГц …… 12 кОм
Резонансная частота …… не менее 500 МГц
Эквивалентное сопротивление внутриламповых шумов …… 12 кОм
Сопротивление в цепи сетки первой предельное …… 3 МОм
Емкость входная …… 3 ± 0,5 пФ
Емкость выходная …… 4,9 ± 0,7 пФ
Емкость проходная …… не более 0,01 пФ
Оформление …… стеклянное миниатюрное.